Des percées dans les matériaux ouvrent la voie aux transistors 2D

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Des percées dans les matériaux ouvrent la voie aux transistors 2D

Les chercheurs ont résolu trois défis techniques extrêmement difficiles qui bloquaient efficacement la réalisation du potentiel montré par les matériaux 2D semi-conducteurs, un ingrédient clé pour créer de nouveaux transistors d’épaisseur atomique capables de réinitialiser la loi de Moore. Grâce aux travaux d’une équipe de chercheurs multi-institutionnelle, la production de matériaux 2D de haute qualité à l’échelle commerciale semble désormais résolue.

L’avancée du développement des semi-conducteurs est menacée par les restrictions naturelles imposées par la manière dont les transistors sont fabriqués et les matériaux utilisés. Cet obstacle à la loi de Moore se profile depuis longtemps à l’horizon, et des scientifiques avant-gardistes ont recherché et développé des voies alternatives pour apporter l’amélioration continue recherchée.

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